韓國首爾 2025年7月15日 /美通社/ -- 韓國8英寸純晶圓代工廠SK keyfoundry今日宣布，該公司已攜手LB Semicon成功聯(lián)合開發(fā)基於8英寸晶圓的關(guān)鍵封裝技術(shù)Direct RDL（重布線層），並完成了可靠性測試。此舉標志著新一代半導體封裝技術(shù)的重要突破，也大大增強了汽車半導體產(chǎn)品的競爭力。

RDL指的是構(gòu)建於半導體芯片表面的金屬布線與絕緣層，用於實現(xiàn)芯片與基板之間的電連接。該技術(shù)主要應用於WLP（晶圓級封裝）和FOWLP（扇出型晶圓級封裝）流程，有助於增強芯片與基板的互聯(lián)性並降低信號干擾。此次由SK keyfoundry與LB Semicon聯(lián)合開發(fā)的Direct RDL技術(shù)，支持高電流容量的功率半導體，性能超越同類技術(shù)。該工藝可實現(xiàn)金屬布線厚度高達15微米、布線密度覆蓋芯片面積的70%，不僅適用於移動和工業(yè)領(lǐng)域，更適合汽車應用。尤其值得關(guān)注的是，該技術(shù)滿足國際汽車半導體質(zhì)量標準 AEC-Q100中的Auto Grade 1等級要求，確保芯片在–40℃至+125℃的嚴苛環(huán)境下穩(wěn)定運行，是目前少數(shù)完全適用於汽車產(chǎn)品的解決方案之一。此外，SK keyfoundry還提供了設計指南(Design Guide)與工藝開發(fā)工具包(PDK)，可為客戶提供量身定制的工藝解決方案，助力實現(xiàn)更小芯片尺寸、更低功耗與更具成本效益的封裝。

作為半導體封裝與測試專業(yè)企業(yè)，LB Semicon表示，借助SK keyfoundry對半導體工藝的深度理解與先進制造能力，大幅縮短了開發(fā)周期。通過將自身後段制程技術(shù)與SK keyfoundry的前段代工技術(shù)整合，雙方成功實現(xiàn)了晶圓級Direct RDL的最優(yōu)化結(jié)構(gòu)，預計將顯著提升生產(chǎn)效率。

LB Semicon首席執(zhí)行官Namseog Kim表示：「此次Direct RDL的聯(lián)合開發(fā)是強化SK keyfoundry與LB Semicon技術(shù)競爭力的重要裡程碑。未來我們將繼續(xù)深化合作，共同在高可靠性基礎(chǔ)上，扎根下一代半導體封裝市場。」

SK keyfoundry首席執(zhí)行官Derek D. Lee表示：「本次與封裝專家LB Semicon的協(xié)作，不僅驗證了我們在半導體制造領(lǐng)域的先進綜合能力，也標志著我們成功將其融入尖端封裝工藝。SK keyfoundry將繼續(xù)攜手LB Semicon，不斷深化合作，致力於成為全球領(lǐng)先、具備高性能與高可靠性能力的優(yōu)質(zhì)代工企業(yè)。」

關(guān)於 SK keyfoundry

SK keyfoundry總部位於韓國，是專注於模擬與混合信號領(lǐng)域的8英寸純晶圓代工企業(yè)，為消費電子、通信、計算、汽車和工業(yè)等多個領(lǐng)域的半導體企業(yè)提供專業(yè)服務。其廣泛的技術(shù)組合與多樣化的工藝節(jié)點使其能夠靈活應對全球客戶不斷演變的需求。獲取更多信息，請訪問https://www.skkeyfoundry.com。