ARM與中芯國際針對移動與消費應用擴展28納米制程工藝IP合作

為高性能系統(tǒng)級芯片設計提供創(chuàng)新IP支持

上海2014年2月9日電 /美通社/ -- ARM與中國內(nèi)地規(guī)模較大、技術先進的集成電路晶圓代工企業(yè)中芯國際（紐約交易所：SMI；香港聯(lián)交所：981）今日共同宣布，雙方針對ARM® Artisan® 物理IP簽訂合作協(xié)議，為中芯國際的28納米poly SiON（PS）制程工藝提供高性能、高密度、低功耗的系統(tǒng)級芯片（SoC）設計支持。

基于這項合作，中芯國際與ARM將為廣大的消費應用提供全面的物理IP平臺與先進制程工藝技術。這些應用均針對快速成長的智能手機、平板電腦、無線設備、以及智能家居等市場。

中芯國際設計服務中心資深副總裁湯天申博士表示：“我們對于能夠支持ARM Artisan標準單元與新一代內(nèi)存編譯器，感到十分高興。這次與ARM的進一步合作將有助于我們的客戶在成本與功耗上實現(xiàn)更優(yōu)異的SoC設計?！?/p>

ARM執(zhí)行副總裁兼物理設計部門總經(jīng)理Dipesh Patel博士表示：“ARM Artisan標準單元與內(nèi)存編譯器可為客戶提供高質(zhì)量與符合硅標準的設計產(chǎn)品，完全滿足客戶在縮短上市時間的要求。通過與中芯國際加深在28納米 PS工藝上的合作，ARM再次踐行了我們的一貫承諾—與業(yè)界領先的晶圓代工企業(yè)強強聯(lián)手，為客戶提供較佳的SoC設計實現(xiàn)?！?/p>

ARM物理IP平臺

針對中芯國際28納米poly SiON（PS）制程工藝的ARM Artisan物理IP平臺，為實現(xiàn)廣泛的性能范圍及經(jīng)過面積優(yōu)化的低功耗SoC設計提供了基礎構件。同時，ARM經(jīng)過硅驗證的IP平臺提供了全面的整套內(nèi)存編譯器、標準單元與邏輯IP以及通用型的接口產(chǎn)品，以應對大部分移動通信與計算對性能與功耗的需求。

通過ARM標準單元庫及內(nèi)存編譯器，配合多溝道及混合閾值電壓（Vt）特性，用戶不僅能夠利用到中芯國際poly SiON尖端制程工藝的性能與功耗范圍，還將獲得更廣泛的性能與功率譜。這些特性確保了在重視性能的SoC設計的同時，也能滿足功耗需求。