上海2016年3月11日電 /美通社/ -- 中芯國際集成電路制造有限公司（簡稱“中芯國際”，紐約證交所股票代碼：SMI，香港聯(lián)交所股票代碼：981），中國內地規(guī)模較大、技術先進的集成電路晶圓代工企業(yè)，與阻變式存儲器（RRAM）技術領導者Crossbar，今日共同宣布雙方就非易失性RRAM開發(fā)與制造達成戰(zhàn)略合作協(xié)議。
作為雙方合作的一部分，中芯國際與Crossbar已簽訂一份代工協(xié)議，基于中芯國際40納米CMOS制造工藝，提供阻變式存儲器組件。這將幫助客戶將低延時、高性能和低功耗嵌入式RRAM存儲器組件整合入MCU及SoC等器件，以應對物聯(lián)網、可穿戴設備、平板電腦、消費電子、工業(yè)及汽車電子市場需求。
“Crossbar產品持續(xù)按計劃推進，目前正在授權階段。我們很榮幸宣布與中芯國際的合作，這是我們的RRAM技術實現(xiàn)商業(yè)化的重要一步?！盋rossbar CEO及聯(lián)合創(chuàng)始人George Minassian表示，“高度集成的MCU及SoC設計者需要非易失性存儲器技術，此技術能夠更加便捷地集成到他們的產品中去并且能夠應用標準的CMOS邏輯制程制造。Crossbar的RRAM技術與中芯國際專業(yè)制造能力的結合將創(chuàng)造獨特的存儲器架構，安全性更嚴格，功耗更低，同時提供更大容量和更快的進入時間。”
Crossbar的RRAM CMOS兼容性及對更小工藝尺寸的可擴展性使非易失性存儲器組件在更低工藝節(jié)點的MCU和SoC中集成成為可能。RRAM元件能夠集成到標準的CMOS邏輯工藝當中，在標準CMOS晶圓的兩條金屬線之間。這將促成高度集成的非易失性存儲器解決方案的實現(xiàn)，將片上非易失性存儲器、處理器核、模擬及射頻集成在一個單獨的芯片上。
“基于中芯國際40納米技術節(jié)點，我們能夠為客戶提供應用于智能卡和多種物聯(lián)網器件的高容量、低功耗且具有獨特安全性的存儲器技術?！敝行緡H首席執(zhí)行官兼執(zhí)行董事邱慈云博士表示，“我們很高興與Crossbar在中芯國際穩(wěn)定可靠的40納米技術平臺上展開合作。我們能夠為全球客戶提供具有競爭力的技術，幫助他們縮短入市時間。我們也致力于與更多世界領先的公司展開長期戰(zhàn)略合作，共同服務市場并在未來實現(xiàn)共贏?！?/p>
Crossbar的RRAM技術為需要低功耗、高性能非易失性代碼執(zhí)行和數(shù)據(jù)存儲功能的嵌入式應用提供具有性價比的集成存儲器解決方案。
關于中芯國際
中芯國際集成電路制造有限公司（“中芯國際”，紐交所代號：SMI，港交所股份代號：981），是世界領先的集成電路晶圓代工企業(yè)之一，也是中國內地規(guī)模較大、技術先進的集成電路晶圓代工企業(yè)。中芯國際向全球客戶提供0.35微米到28納米晶圓代工與技術服務。中芯國際總部位于上海，在上海建有一座300mm晶圓廠和一座200mm超大規(guī)模晶圓廠；在北京建有一座300mm超大規(guī)模晶圓廠，一座控股的300mm先進制程晶圓廠正在開發(fā)中；在天津和深圳各建有一座200mm晶圓廠。中芯國際還在美國、歐洲、日本和臺灣地區(qū)設立營銷辦事處、提供客戶服務，同時在香港設立了代表處。詳細信息請參考中芯國際網站 www.smics.com。
安全港聲明
（根據(jù)1995私人有價證券訴訟改革法案）
本文件可能載有（除歷史資料外）依據(jù)美國一九九五年私人有價證券訴訟改革法案“安全港”條文所界定的“前瞻性陳述”。該等前瞻性陳述乃基于中芯國際對未來事件的現(xiàn)行假設、期望及預測。中芯國際使用“相信”、“預期”、“計劃”、“估計”、“預計”、“預測”及類似表述為該等前瞻性陳述之標識，但并非所有前瞻性陳述均包含上述字眼。該等前瞻性陳述乃反映中芯國際高級管理層根據(jù)較佳判斷作出的估計，存在重大已知及未知的風險、不確定性以及其它可能導致中芯國際實際業(yè)績、財務狀況或經營結果與前瞻性陳述所載資料有重大差異的因素，包括（但不限于）與半導體行業(yè)周期及市況有關風險、激烈競爭、中芯國際客戶能否及時接受晶圓產品、能否及時引進新技術、中芯國際量產新產品的能力、半導體代工服務供求情況、行業(yè)產能過剩、設備、零件及原材料短缺、制造產能供給、終端市場的金融情況是否穩(wěn)定和高科技巿場常見的知識產權訴訟。
除本文件所載的資料外，閣下亦應考慮本公司向證券交易委員會呈報的其他存檔所載的資料，包括本公司于二零一五年四月二十八日隨表格20-F向證券交易委員會呈報的年報，尤其是“風險因素”一節(jié)，以及本公司不時向證券交易委員會或香港聯(lián)交所呈報的其他文件（包括表格6-K）。其他未知或未能預測的因素亦可能會對本公司的未來業(yè)績、表現(xiàn)或成就造成重大不利影響。鑒于該等風險、不確定性、假設及因素，本文件所討論的前瞻性事件可能不會發(fā)生。閣下務請小心，不應不當依賴該等前瞻性陳述，有關前瞻性陳述僅就該日期所述者發(fā)表，倘并無注明日期，則就本文件刊發(fā)日期發(fā)表。
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唐穎
電話：+86-21-3861-0000轉10088
電郵：Jane_Tang@smics.com
關于Crossbar
Crossbar Inc.是RRAM技術的領導廠商，被廣泛認為是下一代存儲系統(tǒng)的推動者，從而有望取代傳統(tǒng)閃存技術。Crossbar RRAM能夠在郵票尺寸的芯片上實現(xiàn)太字節(jié)（terabyte）存儲，而足夠低的功耗可大規(guī)模運用于物聯(lián)網，并被輕松定制到一系列應用中。從可穿戴應用的SoC嵌入式存儲，到云數(shù)據(jù)中心的超高密度SSD，Crossbar正在催生一個存儲器創(chuàng)新的新紀元。更多詳情，請訪問官方網站 www.crossbar-inc.com 或關注我們的Twitter，LinkedIn和Google+賬號。
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