日本橫濱2021年11月17日 /美通社/ -- Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited已推出帶并行接口的8Mbit FRAM MB85R8M2TA存儲器，這也是Fujitsu首款支持100萬億次讀/寫周期的FRAM系列產(chǎn)品。評估樣本目前已發(fā)布。

網(wǎng)址：https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/en/products/fram/device/parallel-8m-mb85r8m2ta.html

圖1—MB85R8M2TA封裝：

https://kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106685/202111113210/_prw_PI4fl_1D8dFJht.jpg

FRAM是一款非易失性存儲產(chǎn)品，具有高讀寫耐久性、高速寫入、低功耗等優(yōu)點，已批量生產(chǎn)20多年。

網(wǎng)址：https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/en/products/fram/features/

MB85R8M2TA存儲器配有與SRAM兼容的并行接口，可在1.8V-3.6V的電源電壓范圍內(nèi)工作。新款FRAM在快頁模式下可實現(xiàn)25ns的訪問時間，因此在持續(xù)數(shù)據(jù)傳輸時的訪問速度可與SRAM相媲美。與Fujitsu的傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，該存儲器實現(xiàn)了高速運行（訪問速度提高約30%）和低功耗（工作電流減少10%）。這款存儲器IC是SRAM的理想替代產(chǎn)品，可用于需要高速運行的工業(yè)機器。

圖2—FRAM用例：

https://kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106685/202111113210/_prw_PI3fl_sEuZ53MK.jpg

圖3—電流比較：

https://kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106685/202111113210/_prw_PI2fl_eSN8P9bQ.jpg

從上述特點來看，新款8Mbit FRAM可在某些情況下省去SRAM所必需的數(shù)據(jù)備份電池，為客戶帶來好處。

圖4—用非易失性存儲器替換SRAM時會遇到的問題及解決方案：

https://kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106685/202111113210/_prw_PI1fl_SfW38Sm1.jpg

Fujitsu Semiconductor Memory Solution致力于開發(fā)高性能產(chǎn)品，為可持續(xù)發(fā)展的社會做出貢獻。例如，該公司在不斷開發(fā)低功耗FRAM產(chǎn)品。通過降低產(chǎn)品功耗，該公司旨在減少二氧化碳和溫室氣體排放。

Fujitsu將繼續(xù)滿足市場和客戶的需求和要求，同時開發(fā)環(huán)保型存儲產(chǎn)品。