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全新的3.0V 1Gb-4Gb密度2KB/4KB頁面第一代串行（SPI）NAND和1Gb-4Gb密度2KB頁面第三代并行NAND ML-3產(chǎn)品系列，具有先進(jìn)的安全功能
加利福尼亞州圣何塞2021年10月11日 /美通社/ -- 嵌入式存儲(chǔ)解決方案全球領(lǐng)導(dǎo)者SkyHigh Memory Limited將在其NAND閃存系列中推出3.0V 1Gb-4Gb密度4KB頁面和2KB頁面ML-3產(chǎn)品。全新的1Gb-4Gb ML-3 SLC NAND閃存產(chǎn)品系列設(shè)備的設(shè)計(jì)采用了業(yè)界最先進(jìn)的1納米SLC NAND產(chǎn)品技術(shù)節(jié)點(diǎn)。
可提供不同接口，SkyHigh Memory第一代串行（SPI）SLC NAND和第三代并行SLC NAND補(bǔ)強(qiáng)了已在生產(chǎn)中的第三代ML-3 4Gb-16Gb并行SLC NAND產(chǎn)品系列。
新的1Gb-4Gb設(shè)備將用于支持在最高達(dá)105°C的擴(kuò)展溫度下存儲(chǔ)關(guān)鍵數(shù)據(jù)的高可靠性系統(tǒng)。借助其內(nèi)部ECC引擎，ML-3產(chǎn)品系列可以支持低至1位ECC引擎的芯片組，以適應(yīng)傳統(tǒng)芯片組和具有更高ECC引擎的現(xiàn)代芯片組。
ML-3產(chǎn)品系列還具有多種安全功能，可保護(hù)敏感啟動(dòng)代碼、系統(tǒng)固件和應(yīng)用完整性免受惡意軟件的影響。
ML-3產(chǎn)品系列設(shè)備非常適合用于高可靠性的和/或安全的應(yīng)用，如工業(yè)控制、聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用和機(jī)頂盒。
“我們?nèi)娴腗L-3 NAND閃存系列具有高可靠性和增強(qiáng)的安全性，以及高性能應(yīng)用所需的串行和并行接口，”SkyHigh Memory首席執(zhí)行官GH Bae表示?！巴瞥鲞@個(gè)系列符合我們?yōu)榭焖僭鲩L(zhǎng)的目標(biāo)市場(chǎng)（工業(yè)、聯(lián)網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)）提供高可靠性和安全存儲(chǔ)解決方案的戰(zhàn)略。”
安全系統(tǒng)設(shè)計(jì)需要存儲(chǔ)元件，從而保護(hù)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)免受編程和刪除操作的影響。SkyHigh Memory ML-3 SLC NAND閃存設(shè)備提供兩種傳統(tǒng)上在SLC NAND競(jìng)品中不存在的保護(hù)機(jī)制：易失性和永久性區(qū)塊保護(hù)方法。借助易失性區(qū)塊保護(hù)，可以保護(hù)整個(gè)內(nèi)存內(nèi)容。在這種方法中，保護(hù)參數(shù)設(shè)置具有易失性，因此必須在上電時(shí)加載到設(shè)備。借助永久性區(qū)塊保護(hù)，保護(hù)參數(shù)設(shè)置是永久性的，在產(chǎn)品生命周期內(nèi)僅需編程一次?？捎谰帽Ｗo(hù)多達(dá)64Mb的數(shù)據(jù)。此外，ML-3 SLC NAND產(chǎn)品系列設(shè)備包含1Mb的OTP，這是市面上所有SLC NAND中最大的OTP。
ML-3串行（SPI）SLC NAND是SkyHigh Memory的第一代串行接口SLC NAND內(nèi)存。該設(shè)備采用8引腳LGA（6mm x 8mm）封裝，可節(jié)省電路板空間并簡(jiǎn)化電路板布局。有關(guān)該系列的更多信息，請(qǐng)?jiān)L問 http://www.skyhighmemory.com/ML-3_Serial_(SPI)_Interface。
ML-3并行SLC NAND提供通向SkyHigh Memory第一和第二代并行接口SLC NAND內(nèi)存的遷移路徑，外形和適用性均可兼容。這些設(shè)備采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝：48引腳TSOP（12mm x 20mm）和63焊球BGA（9mm x 11mm）。有關(guān)該系列的更多信息，請(qǐng)?jiān)L問 http://www.skyhighmemory.com/ML-3-Parallel_Interface_SLC_NAND。
供應(yīng)情況
SkyHigh Memory 2Gb和4Gb ML-3串行（SPI）和并行SLC NAND閃存現(xiàn)可提供樣品。
SkyHigh Memory 1Gb ML-3串行（SPI）和并行SLC NAND閃存將于2022年1月提供樣品。
