臺(tái)北2019年10月16日 /美通社/ -- 專注于工業(yè)應(yīng)用的存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商ATP Electronics（華騰國(guó)際科技）日前發(fā)布了其最新產(chǎn)品線 S600Sia, 這是ATP首個(gè)采用3D TLC NAND flash設(shè)計(jì)的A1 性能等級(jí)SD卡和microSD卡產(chǎn)品系列，面向汽車電子及工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用。
ATP采用的64層3D NAND技術(shù)由于其優(yōu)良的特性，已成為電子及工業(yè)應(yīng)用市場(chǎng)的主流選擇，在未來5年會(huì)確保有穩(wěn)定的原料供應(yīng)，3D NAND所采用的垂直堆疊工藝還有效避免了2D NAND時(shí)代因工藝微縮帶來的可靠性下降問題。
ATP 3D TLC 存儲(chǔ)卡不僅延續(xù)了2D NAND時(shí)代嚴(yán)格的可靠性測(cè)試要求，還特別為汽車電子和工業(yè)應(yīng)用要求進(jìn)行了專門的性能優(yōu)化
車規(guī)級(jí)可靠性、性能及耐久度。 ATP 3D TLC S600Sia 系列存儲(chǔ)卡經(jīng)歷了從集成電路元器件到產(chǎn)品各階段嚴(yán)格的寫入耐久度、數(shù)據(jù)保持能力及寬溫測(cè)試。產(chǎn)品遵循ISO，JEDEC，AEC-Q100/AECQ-104等車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)及溫度相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，同時(shí)ATP也可按照客戶要求進(jìn)行定制化測(cè)試及生產(chǎn)，例如遵循ISO 16750標(biāo)準(zhǔn)等.
跨溫度范圍場(chǎng)景下的ATP動(dòng)態(tài)自動(dòng)校準(zhǔn)機(jī)制（Dynamic Self-Recovery Calibration）
除了支持-40°C 到 85°C的工作溫度范圍，ATP S600Sia系列SD/microSD卡還經(jīng)歷了跨溫度范圍的各項(xiàng)測(cè)試，以確保其可靠度，產(chǎn)品中采用的動(dòng)態(tài)自動(dòng)校準(zhǔn)機(jī)制是一種軟硬件設(shè)計(jì)相結(jié)合的技術(shù)，能使SD/microSD適應(yīng)各種溫度模式下的使用要求。
了解更多有關(guān)ATP跨溫度范圍測(cè)試的信息可訪問網(wǎng)頁(yè): http://bit.ly/2HugvkE
ATP的產(chǎn)品為數(shù)據(jù)管理需求提供定制化支持
物聯(lián)網(wǎng)和車聯(lián)網(wǎng)(IoT/IoV)產(chǎn)生的大數(shù)據(jù)將在未來十年推動(dòng)數(shù)據(jù)熱潮。無論是智能工廠還是自動(dòng)駕駛汽車，數(shù)據(jù)管理現(xiàn)在都是一個(gè)關(guān)鍵問題。高效的數(shù)據(jù)處理和實(shí)時(shí)分析需要邊緣設(shè)備提供更快、更穩(wěn)定的性能。ATP 3D TLC SD/microSD卡具有4KB頁(yè)面管理和SLC緩存算法，與傳統(tǒng)解決方案相比，隨機(jī)訪問時(shí)間縮短到1/2并且具備較低的延遲。這些卡可以達(dá)到Android A1應(yīng)用程序性能(SDA規(guī)范)，耗電量更少，適合電池壽命有限的小型手持設(shè)備。
S600Sia系列SD/microSD卡最高容量可達(dá)256GB，每GB的價(jià)格有大幅下降，從而滿足數(shù)據(jù)備份、邊緣計(jì)算、事件記錄及地圖導(dǎo)航等應(yīng)用日益增加的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求，并提供便攜化便利。
ATP可按照客戶要求提供硬件定制方案，例如NAND閃存和控制器芯片的測(cè)試接口以及過流保護(hù)設(shè)計(jì)，對(duì)電路提供電流過載或短路保護(hù)。
如有 ATP S600Sia 系列3D TLC SD/microSD 存儲(chǔ)卡產(chǎn)品需求，請(qǐng)聯(lián)系A(chǔ)TP的當(dāng)?shù)劁N售或經(jīng)銷商，也可發(fā)郵件至 Info@atpinc.com.
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