北京2009年8月3日電 /美通社亞洲/ -- Strategy Analytics 發(fā)布最新年度預測報告“半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場預測2008-2013”。報告總結(jié)，2008年半絕緣砷化鎵(SI GaAs)外延襯底市場年增長率達到22%，但 Strategy Analytics 預計2009年該市場將持平或轉(zhuǎn)負增長。借助下一代蜂窩手機平臺上嵌入多砷化鎵(GaAs)器件，以及來自其它市場對砷化鎵 (GaAs) 器件的需求，半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場在2010年將恢復增長。

一直以來，供應(yīng)商都聚焦在提供 HBT (Heterojunction Bipolar Transistor)，HEMT (High Electron Mobility Transistor) 和 FET (Field Effect Transistor)的外延襯底結(jié)構(gòu)，而目前市場更關(guān)注的是多結(jié)構(gòu)組合在一個襯底上的解決方案，以提供 BiFET (Bipolar Field Effect Transistor) 或 BiHEMT (Bipolar High Electron Mobility Transistor)器件。

Strategy Analytics 的 GaAs 和化合物半導體技術(shù)市場研究部主管 Asif Anwar 表示：“Strategy Analytics 預期，BiFET / BiHEMT 結(jié)構(gòu)的襯底在2008年占所有半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場的6%。雖然市場份額還很小，但是由于砷化鎵器件制造商希望通過集成解決方案以提供差異化的產(chǎn)品，這一細分市場從現(xiàn)在到2013年期間將以較快速增長。”

本報告研究供應(yīng)鏈動態(tài)，并對半絕緣砷化鎵(SI GaAs) 外延襯底的最終需求驅(qū)動因素進行了大量的分析。到2013年的市場前景預測結(jié)果顯示，2008至2013期間，外延襯底市場的復合年增長率為5%。相應(yīng)地，砷化鎵 MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 和 MBE (Molecular Beam Epitaxy)襯底市場規(guī)模在2013年將超過4億美元。

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