北京2018年6月15日電 /美通社/ -- 近年來，碳化硅等寬禁帶半導(dǎo)體已成為全球高技術(shù)領(lǐng)域競爭戰(zhàn)略制高點(diǎn)之一，國際半導(dǎo)體及材料領(lǐng)域研究和發(fā)展的熱點(diǎn)。寬禁帶半導(dǎo)體照明已經(jīng)形成巨大規(guī)模的產(chǎn)業(yè)，并在電子功率器件領(lǐng)域繼續(xù)深入發(fā)展。國際上已有ICSCRM (International Conference on Silicon Carbide and Related Materials) 和ECSCRM (European Conference on Silicon Carbide and Related Materials)兩大品牌國際會議，在地域上主要體現(xiàn)為美國和歐洲的科技發(fā)展態(tài)勢，為了推動亞太地區(qū)碳化硅等寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)與學(xué)術(shù)的發(fā)展，加強(qiáng)交流與協(xié)同創(chuàng)新，由中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟、中科院物理所和北京硅酸鹽學(xué)會發(fā)起并主辦第一屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國際會議(Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials, APCSCRM 2018)將于2018年7月9日-12日在北京舉行，參會規(guī)模近400人。
此次會議將圍繞寬禁帶半導(dǎo)體材料生長技術(shù)、材料結(jié)構(gòu)與物性、光電子和電子器件研發(fā)以及相關(guān)設(shè)備研發(fā)等領(lǐng)域開展廣泛交流，促進(jìn)產(chǎn)學(xué)研的相互合作和交流。深信這次會議必將對亞太地區(qū)碳化硅等寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件的學(xué)術(shù)研究、技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)發(fā)展起到有力的推動作用。
APCSCRM將是一個亞太地區(qū)高水平的碳化硅等寬禁帶半導(dǎo)體相關(guān)材料、器件的產(chǎn)業(yè)與學(xué)術(shù)并重的高水平論壇。從2018年開始，每年召開一次大會，地點(diǎn)在亞太地區(qū)不同地點(diǎn)輪換。
APCSCRM會議邀請來自亞太地區(qū)知名的專家學(xué)者齊聚一堂，共同學(xué)習(xí)和交流寬禁帶半導(dǎo)體材料生長、器件制備及封裝和器件模塊應(yīng)用等領(lǐng)域理論和技術(shù)。以下是部分邀請專家簡介：
1. 新井 學(xué)（新日本無線，日本）
報告名稱：寬禁帶半導(dǎo)體（碳化硅、氮化鎵、氧化鎵和金剛石）器件綜述
2. 高冰（武漢大學(xué)，中國）
報告名稱：碳化硅PVT生長基面位錯模擬及其控制
3. 顧亦磊（陽光電源股份有限公司，中國）
報告名稱：基于SiC MOSFET的高效高功率密度光伏逆變器
4. 土方 泰斗（琦玉大學(xué)，日本）
報告名稱：基于Si和C的發(fā)射模型的SiC的熱氧化過程的宏觀模擬
5. 黃偉（復(fù)旦大學(xué)，中國）
報告名稱：可融合GaN/Si半導(dǎo)體器件與集成技術(shù)
6. 巖室 憲幸（筑波大學(xué)，日本）
報告名稱：碳化硅MOSFET器件的最新進(jìn)展
7. 紀(jì)世陽（產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所，日本）
報告名稱：CVD外延——新型4H-SiC超結(jié)MOSFET的關(guān)鍵技術(shù)
8. 李順峰（北京大學(xué)東莞光電研究院，中國）
報告名稱：硅基GaN功率電子器件的開發(fā)應(yīng)用與展望
9. 劉國友（中國株洲中車時代電氣股份有限公司，中國）
報告名稱：SiC器件在軌道交通中的應(yīng)用前景
10. 陸國權(quán)（弗吉尼亞理工大學(xué)，美國）
報告名稱：汽車用高功率密度碳化硅功率模塊的封裝
11. 松浦 秀治（ 大阪電氣通信大學(xué)，日本）
報告名稱：利用霍爾效應(yīng)測量寬禁帶半導(dǎo)體的電學(xué)特性
12. 水原 德健（ROHM半導(dǎo)體(上海)有限公司，日本）
報告名稱：功率器件(SiC)的市場應(yīng)用~SiC功率器件的特征、應(yīng)用
13. 邱顯欽（長庚大學(xué)，臺灣）
報告名稱：六寸硅基氮化鎵功率與微波器件封裝與模塊開發(fā)
14. 邱宇峰（全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院，中國）
報告名稱：SiC器件在未來電網(wǎng)中的應(yīng)用
15. 孫國勝（東莞天域半導(dǎo)體科技有限公司，中科院半導(dǎo)體所，中國）
報告名稱：4H-SiC中三角形缺陷結(jié)構(gòu)及成因研究進(jìn)展
16. 溫旭輝（中國科學(xué)院電工研究所，中國）
報告名稱：電動汽車用超高功率密度SiC逆變電源的技術(shù)途徑分析
17. 張清純（北卡羅來納州立大學(xué)，美國）
報告名稱：寬禁帶半導(dǎo)體器件（氮化鎵和碳化硅）及其應(yīng)用的現(xiàn)狀與展望
本次會議還面向國內(nèi)外高校、科研院所和企事業(yè)單位的寬禁帶半導(dǎo)體材料、器件、應(yīng)用領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員征稿，投稿說明：
1. 投稿通過APCSCRM官網(wǎng)在線投稿
（投稿操作說明：http://www.apcscrm2018.iawbs.com，論文提交欄目下載）
2. 摘要提交截止日期：2018年6月30日
3. 全文投稿截止日期：2018年7月31日
4. 投稿人請隨時關(guān)注論文評審情況（APCSCRM官網(wǎng)在線投稿系統(tǒng)）。
