上海2015年3月16日電 /美通社/ -- 隨著半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，為了克服隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)減小帶來(lái)的阻容遲滯（RC Delay），銅低k / 超低k 介質(zhì)互連結(jié)構(gòu)被引入半導(dǎo)體工業(yè)中。因?yàn)榈蚹 / 超低k 介質(zhì)材料脆弱的機(jī)械性能，阻礙其被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件量產(chǎn)中。

“盛美最新開發(fā)的無(wú)應(yīng)力拋光（the Ultra SFP）設(shè)備，能夠?qū)τ?8nm至40nm及以下節(jié)點(diǎn)銅低k/超低k互聯(lián)結(jié)構(gòu)進(jìn)行無(wú)應(yīng)力，無(wú)損傷的拋光?！笔⒚腊雽?dǎo)體設(shè)備公司的創(chuàng)始人、首席執(zhí)行官王暉博士說(shuō)，“該設(shè)備整合了無(wú)應(yīng)力拋光工藝（SFP），熱氣相蝕刻工藝 （TFE）；并且可以和現(xiàn)有生產(chǎn)線所使用的傳統(tǒng)化學(xué)機(jī)械研磨工藝（CMP）無(wú)縫銜接，在下一代工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)應(yīng)用中，無(wú)需對(duì)現(xiàn)有 CMP 設(shè)備進(jìn)行升級(jí)改造；利用其各自獨(dú)特的工藝優(yōu)點(diǎn)，確保整個(gè)工藝對(duì)銅互連結(jié)構(gòu)無(wú)任何損傷?！?/p>

無(wú)應(yīng)力拋光設(shè)備應(yīng)用于銅低k / 超低k 互連結(jié)構(gòu)有諸多優(yōu)點(diǎn)：其一，依靠拋光自動(dòng)停止原理，平坦化工藝后凹陷更均勻及精確可控；其二，工藝簡(jiǎn)單，采用環(huán)保的可以循環(huán)實(shí)用的電化學(xué)拋光液，沒(méi)有拋光墊，研磨液等，耗材成本降低50%以上；對(duì)互聯(lián)結(jié)構(gòu)中金屬層和介質(zhì)層無(wú)劃傷及機(jī)械損傷；其三，可以將工藝擴(kuò)展至新型材料鈷（Co）和釕（Ru）作為阻擋層的銅低k / 超低k 互聯(lián)結(jié)構(gòu)中。