一.SiC和GaN功率半導(dǎo)體銷(xiāo)售額將大幅增長(zhǎng)

　　近期國(guó)際電子電力行業(yè)的相關(guān)市場(chǎng)一直圍繞著“光伏”這個(gè)話題展開(kāi)激烈的探討，有些國(guó)家會(huì)借此機(jī)會(huì)加大對(duì)光伏市場(chǎng)的調(diào)整，重新規(guī)范光伏市場(chǎng)這個(gè)即將崛起的領(lǐng)域。

　　其中據(jù)有關(guān)報(bào)告預(yù)測(cè)，至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體的全球銷(xiāo)售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。也就是說(shuō)，在未來(lái)十年半導(dǎo)體市場(chǎng)的銷(xiāo)售額將實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的年增長(zhǎng)率。

　　在未來(lái)幾年里，受到電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動(dòng)機(jī)的需求等眾多因素的驅(qū)動(dòng)，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長(zhǎng)

　　二.專(zhuān)家分析SiC和GaN功率半導(dǎo)體的增長(zhǎng)預(yù)測(cè)

　　在預(yù)測(cè)增長(zhǎng)的產(chǎn)品中GaN是一種擁有類(lèi)似于SiC性能優(yōu)勢(shì)的寬帶隙材料，并且GaN功率半導(dǎo)體則剛剛進(jìn)入市場(chǎng)，擁有更大的成本控制潛力。

　　而另一SiC金氧半場(chǎng)效晶體管(MOSFET)、結(jié)晶性場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。SiC肖特基二極管，已存在十多年，

　　經(jīng)過(guò)市場(chǎng)的調(diào)查分析，氮化鎵上硅設(shè)備與硅MOSFET、IGBT或整流器將在2019年實(shí)現(xiàn)平價(jià)和同等性能，至2022年GaN功率市場(chǎng)銷(xiāo)售額將超過(guò)10億大關(guān)。

　　預(yù)測(cè)至2022年這一數(shù)字將增加近一倍的SiC肖特基二極管在去年的銷(xiāo)售額超過(guò)1億美元，是目前最暢銷(xiāo)的SiC或GaN設(shè)備。

　　相比之下其依靠穩(wěn)定的可靠性、價(jià)格及性能的優(yōu)勢(shì)，SiCJFET和SiCBJT各自的銷(xiāo)售額預(yù)計(jì)僅達(dá)到SiCMOSFET的一半。屆時(shí)SiCMOSFET銷(xiāo)售額預(yù)計(jì)將達(dá)到4億美元，超越肖特基二極管成為最熱賣(mài)的離散電源設(shè)備類(lèi)型。

　　雖然IHS預(yù)測(cè)SiC和GaN市場(chǎng)未來(lái)幾年增長(zhǎng)強(qiáng)勁，但與一年前相比，仍是有些小幅度的降低，這一變化的主要原因在于全球經(jīng)濟(jì)的低迷現(xiàn)狀使市調(diào)機(jī)構(gòu)調(diào)低了對(duì)功率組件設(shè)備的出貨量預(yù)測(cè)。SiC采用率預(yù)測(cè)也被大幅調(diào)低，因?yàn)樵O(shè)備價(jià)格并未如此前預(yù)測(cè)那樣快速下跌。

　　根據(jù)市場(chǎng)的導(dǎo)向以及各大廠商對(duì)未來(lái)市場(chǎng)主流發(fā)展的預(yù)測(cè)，業(yè)界更多青睞GaN技術(shù)，越來(lái)越多公司已宣布進(jìn)行GaN研發(fā)，加大對(duì)GaN研發(fā)的投資。其中著名的Transphorm已成為首家獲得氮化鎵上硅設(shè)備JEDEC資格的公司，為GaN的發(fā)展起了一個(gè)先鋒的示范作用。